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职业暴露低剂量电离辐射人群细胞遗传学损伤及受照剂量的研究

韩方岸 胡云 朱庆安 仲志鸿 徐庆

韩方岸, 胡云, 朱庆安, 仲志鸿, 徐庆. 职业暴露低剂量电离辐射人群细胞遗传学损伤及受照剂量的研究[J]. 中华疾病控制杂志, 2006, 10(6): 580-585.
引用本文: 韩方岸, 胡云, 朱庆安, 仲志鸿, 徐庆. 职业暴露低剂量电离辐射人群细胞遗传学损伤及受照剂量的研究[J]. 中华疾病控制杂志, 2006, 10(6): 580-585.

职业暴露低剂量电离辐射人群细胞遗传学损伤及受照剂量的研究

基金项目: 镇江市2004年社会发展基金项目(SH2004039);
详细信息
  • 中图分类号: R144

  • 摘要: 目的对放射工作者个人累积受照剂量、健康效应指标、细胞遗传学指标进行检测,探索长期低剂量辐射对工作者健康的影响。方法暴露组配戴“TLDmodel 469”个人剂量监测计,用“TLP-热释光剂量数据处理系统”测读结果。微量全血培养法检测染色体畸变及微核。询问病史、自觉症状,检查内科、皮肤科、眼科、五官科,检验WBC+DC、W-LCR、W-SCR、Hb、PLT、ALT、HB-sAg。结果暴露组受照剂量最高192.02 mSv/a,最低0.42 mSv/a,人均年受照剂量5.47 mSv/a。暴露组中有头疼、头晕、易倦、乏力、嗜睡、记忆力减退等者占13.47%,高于对照组5.79%。暴露组眼晶状体混浊发生率为32.42%(709/2 187),显著高于对照组的6.25%(15/240)。暴露组染色体总畸变率1.61%,高于对照组0.16%。受照剂量与染色体总畸变率呈正相关关系(r=0.982,P<0.01),与染色体细胞畸变率呈正相关关系(r=0.978,P<0.01)。同位素组、介入放射组高于其他组(χ2=565.54、496.12,P<0.01)。结论用改良微量全血培养法...
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